Power Electronic
DBC(DCB) & AMB Substrates

功率半導體基板

一般來說，應用熱電致冷晶片製造技術的散熱用絕緣基板線路板方面，低功率的家電產品和PC等產品中大多使用有機類基板或金屬基板，而應對大功率的電源模塊的散熱絕緣基板會使用鋁、氮化鋁、氮化矽材質的基板。
特別是，隨著HEV和EV車輛銷量的增加，逆變器/轉換器的電源模塊的產品中氮化矽基板備受矚目，敝公司除傳統產品DCB（Direct Copper Bonding）之外，還開始量產新產品AMB(Active Metal Brazing)。
有望為小型化、節能化作出貢獻，實現今後的增長。

Product Line

產品一覽

氧化鋁 (ZTA)陶瓷基板
氧化鋁陶瓷基板(化學鍍銀)
氧化鋁陶瓷基板(化學鍍鎳金)
氧化鋁陶瓷基板

DCB產品特性
DCB基板性能		項目	數值	單位
		最大尺寸	138*190	mm
		最大可用面積	127*178	mm
		線距	根據不同銅厚而定，詳見設計規範	mm
		線寬	+0.3/-0.2	mm
		銅層剝離強度(最小值)	>5	N/mm
		可焊性	>95%	%
		交付方式	小枚交付/大板交付
		表面狀態	裸銅/阻焊/化學鍍鎳/化學鍍鎳金/鍍銀	µm
材料	氮化鋯陶瓷	成份	90% Al / ZrO₂	%
		厚度	0.32,0.25	mm
		密度	3.95	g/cm³
		導熱係數	27	W/m.k
		抗彎強度	600	W/m.k
		介電常數	10.5	1MHz
		介電損耗	0.0003	1MHz
		擊穿電壓	20	kV/mm
		體積電阻率	1*1014	Ωcm
	氮化鋁陶瓷	成分	96% Al₂O₃	%
		厚度	1.00,0.89,0.76,0.63,0.5,0.3 8,0.32,0.25	mm
		密度	3.73	g/cm³
		導熱係數	24	W/m.k
		抗彎強度	350～450	Mpa
		介電常數	9.8	1MHz
		介電損耗	0.0003	1MHz
		擊穿電壓	20	kV/mm
		體積電阻率	1*1014	Ωcm
	銅	材質	無氧銅
		純度	99.99	%
		硬度	90～110	HV
		電導率	58.6	MS/m
		厚度	0.40,0.30,0.25,0.20,0.127	mm

AMB

Active Metal Brazing

氮化矽陶瓷基板(化學鍍鎳金)
SiN AMB 氮化矽基板 (裸銅)
SiN AMB 氮化矽基板(化學鍍鎳)
SiN AMB 氮化矽基板

AMB產品特性
AMB基板性能		項目	數值	單位
		最大尺寸	138*190	mm
		最大可用面積	127*178	mm
		線距	根據不同銅厚而定，詳見設計規範	mm
		線寬	+0.3/-0.2	mm
		銅層剝離強度(最小值)	>10	N/mm
		可焊性	>95%	%
		交付方式	小枚交付/大板交付
		表面狀態	裸銅/阻焊/化學鍍鎳/化學鍍鎳金/鍍銀	µm
材料	氮化矽陶瓷	成分	96% SiN	%
		厚度	0.32,0.25	mm
		密度	3.22	g/cm³
		導熱係數	90	W/m.k
		抗彎強度	700	Mpa
		介電常數	8	1MHz
		介電損耗	0.001	1MHz
		擊穿電壓	20	kV/mm
		體積電阻率	1*1014	Ωcm
	氮化鋁陶瓷	成分	96% AlN	%
		厚度	1.0,0.63,0.38,0.25	mm
		密度	3.3	g/cm³
		導熱係數	170	W/m.k
		抗彎強度	350	Mpa
		介電常數	9	1MHz
		介電損耗	0.0005	1MHz
		擊穿電壓	20	kV/mm
		體積電阻率	1*1014	Ωcm
	銅	材質	無氧銅
		純度	99.99	%
		硬度	60～110	HV
		電導率	58.6	MS/m
		厚度	0.8,0.5,0.4,0.3,0.25,0.2	mm

功率半導體的種類和耐壓/用途

DCB/AMB的主要市場範圍：工業設備、汽車、電力鐵路、可再生能源

生產基地

1. 上海
2. 上海富樂華半導體科技有限公司
3. 上海市寶山城市工業園區山連路181號

1. 東台
2. 江蘇富樂德半導體科技有限公司
3. 江蘇省東台市城東新區鴻達路18號

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