Power Electronic
DBC(DCB) & AMB Substrates

功率半導體基板

Power Electronic DCB & AMB Substrates

一般來說,應用熱電致冷器製造技術的散熱用絕緣基板線路板方面,低功率的家電產品和PC等產品中大多使用有機類基板或金屬基板,而應對大功率的電源模塊的散熱絕緣基板會使用鋁、氮化鋁、氮化矽材質的基板。
特別是,隨著HEV和EV車輛銷量的增加,逆變器/轉換器的電源模塊的產品中氮化矽基板備受矚目,敝公司除傳統產品DCB(Direct Copper Bonding)之外,還開始量產新產品AMB(Active Metal Brazing)。
有望為小型化、節能化作出貢獻,實現今後的增長。

Product Line

產品一覽

  • 氧化鋁 (ZTA)陶瓷基板

  • 氧化鋁陶瓷基板(化學鍍銀)

  • 氧化鋁陶瓷基板(化學鍍鎳金)

  • 氧化鋁陶瓷基板

DCB產品特性
DCB基板性能 項目 數值 單位
最大尺寸 138*190 mm
最大可用面積 127*178 mm
線距 根據不同銅厚而定,詳見設計規範 mm
線寬 +0.3/-0.2 mm
銅層剝離強度(最小值) >5 N/mm
可焊性 >95% %
交付方式 小枚交付/大板交付
表面狀態 裸銅/阻焊/化學鍍鎳/化學鍍鎳金/鍍銀 µm

氮化鋯陶瓷 成份 90% Al / ZrO₂ %
厚度 0.32,0.25 mm
密度 3.95 g/cm³
導熱係數 27 W/m.k
抗彎強度 600 W/m.k
介電常數 10.5 1MHz
介電損耗 0.0003 1MHz
擊穿電壓 20 kV/mm
體積電阻率 1*1014 Ωcm
氮化鋁陶瓷 成分 96% Al₂O₃ %
厚度 1.00,0.89,0.76,0.63,0.5,0.3 8,0.32,0.25 mm
密度 3.73 g/cm³
導熱係數 24 W/m.k
抗彎強度 350~450 Mpa
介電常數 9.8 1MHz
介電損耗 0.0003 1MHz
擊穿電壓 20 kV/mm
體積電阻率 1*1014 Ωcm
材質 無氧銅 %
純度 99.99 %
硬度 90~110 HV
電導率 58.6 MS/m
厚度 0.40,0.30,0.25,0.20,0.127 mm

AMB

Active Metal Brazing

  • 氮化矽陶瓷基板(化學鍍鎳金)

  • SiN AMB 氮化矽基板 (裸銅)

  • SiN AMB 氮化矽基板(化學鍍鎳)

  • SiN AMB 氮化矽基板

AMB產品特性
AMB基板性能 項目 數值 單位
最大尺寸 138*190 mm
最大可用面積 127*178 mm
線距 根據不同銅厚而定,詳見設計規範 mm
線寬 +0.3/-0.2 mm
銅層剝離強度(最小值) >10 N/mm
可焊性 >95% %
交付方式 小枚交付/大板交付
表面狀態 裸銅/阻焊/化學鍍鎳/化學鍍鎳金/鍍銀 µm

氮化矽陶瓷 成分 96% SiN %
厚度 0.32,0.25 mm
密度 3.22 g/cm³
導熱係數 90 W/m.k
抗彎強度 700 Mpa
介電常數 8 1MHz
介電損耗 0.001 1MHz
擊穿電壓 20 kV/mm
體積電阻率 1*1014 Ωcm
氮化鋁陶瓷 成分 96% AlN %
厚度 1.0,0.63,0.38,0.25 mm
密度 3.3 g/cm³
導熱係數 170 W/m.k
抗彎強度 350 Mpa
介電常數 9 1MHz
介電損耗 0.0005 1MHz
擊穿電壓 20 kV/mm
體積電阻率 1*1014 Ωcm
材質 無氧銅
純度 99.99 %
硬度 60~110 HV
電導率 58.6 MS/m
厚度 0.8,0.5,0.4,0.3,0.25,0.2 mm

功率半導體的種類和耐壓/用途

DCB/AMB的主要市場範圍:工業設備、汽車、電力鐵路、可再生能源

生產基地

    1. 上海
    2. 上海富樂華半導體科技有限公司
    3. 上海市寶山城市工業園區山連路181號
    1. 東台
    2. 江蘇富樂德半導體科技有限公司
    3. 江蘇省東台市城東新區鴻達路18號