Power Electronic Substrates
DCB / AMB / DBA / DPC

功率半導體基板
DCB / AMB / DBA / DPC

氮化矽基板

Silicon Nitride Ceramic Substrate

氮化矽基板產品特性
項目 設計基準 単位
母板(MC)尺寸 138 × 190 mm
厚度 0.32 / 0.25 mm
密度 ≧ 3.20 g / cm3
熱傳導率 ≧ 80 W / m・K
抗彎強度 ≧ 700(∑0, M > 10) MPa
相對介電常數 8 1MHz
介電損耗 < 0.001 1MHz
介電強度 ≧ 20 kV / mm
體積電阻率 ≧ 1 × 1014 Ω・cm

本公司提供具備高強度・高可靠性特點的氮化矽基板。
詳情請透過本網站的「聯絡我們」頁面洽詢。

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